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高博會(huì)快訊 | 第二屆中國(guó)高校就業(yè)育人大會(huì)在重慶召開(kāi)
4月8日，以“深化就業(yè)育人 促進(jìn)高質(zhì)量充分就業(yè)”為主題的第二屆中國(guó)高校就業(yè)育人大會(huì)在重慶召開(kāi)。中國(guó)高等教育學(xué)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)張大良，教育部高校學(xué)生司副司長(zhǎng)吳愛(ài)華，教育部學(xué)生服務(wù)與素質(zhì)發(fā)展中心黨委書(shū)記、主任劉玉光，重慶市教育委員會(huì)二級(jí)巡視員譙建等出席大會(huì)。
中國(guó)高等教育學(xué)會(huì)
2023-04-12
第二屆科創(chuàng)中國(guó)·高等學(xué)校技術(shù)交易大會(huì)在重慶成功召開(kāi)
4月9日，由中國(guó)科協(xié)和重慶市人民政府指導(dǎo)，中國(guó)高等教育學(xué)會(huì)聯(lián)合重慶市級(jí)相關(guān)部門(mén)共同舉辦，學(xué)會(huì)科技服務(wù)專(zhuān)家指導(dǎo)委員會(huì)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、電子科技大學(xué)、重慶大學(xué)三所高校參與承辦的第二屆科創(chuàng)中國(guó)·高等學(xué)校技術(shù)交易大會(huì)在重慶國(guó)際博覽中心順利召開(kāi)。
云上高博會(huì)
2023-04-10
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一種石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管是自下而上依次有藍(lán)寶石襯底層或硅襯底層、氮化鎵層、銀量子點(diǎn)層、石墨烯層，在氮化鎵層上還設(shè)有側(cè)面電極，在石墨烯層上設(shè)有正面電極，所述的氮化鎵層厚度為2～10μm；本實(shí)用新型的石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管利用銀量子點(diǎn)表面等離子體增強(qiáng)發(fā)光，同時(shí)結(jié)合石墨烯材料的高透光性、高導(dǎo)電性和氮化鎵優(yōu)異的發(fā)光性能，正反偏壓下均可發(fā)光且波段多樣，亮度高，制備工藝簡(jiǎn)單，成本低。
浙江大學(xué)
2021-04-13
聚乙二醇修飾殼寡糖脂肪酸嫁接物及制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明提供聚乙二醇修飾的殼寡糖脂肪酸嫁接物，稱(chēng)取殼寡糖脂肪酸嫁接物和端醛基化聚乙二醇，加入蒸餾水超聲溶解，攪拌，透析，透析液冷凍干燥，得目的物。本發(fā)明的嫁接物具有在水性介質(zhì)中通過(guò)自聚集形成膠團(tuán)的特性，可顯著減少殼寡糖脂肪酸嫁接物膠團(tuán)在巨噬細(xì)胞中的攝取，并且隨著聚乙二醇修飾比例的增加，膠團(tuán)在巨噬細(xì)胞中的攝取逐漸減少。研究表明膠團(tuán)對(duì)肝癌細(xì)胞HepG2和永生化正常肝細(xì)胞BRL-3A的攝取沒(méi)有顯著影響，細(xì)胞毒性作用可以與負(fù)載絲裂霉素C的殼寡糖脂肪酸嫁接物膠團(tuán)保持在同一水平，與游離絲裂霉素C相比，藥效提高了14倍左右，可長(zhǎng)循環(huán)性載體在制備抗腫瘤藥物中的應(yīng)用。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)通式為： 。
浙江大學(xué)
2021-04-13
科學(xué)院大學(xué).jpg){kind=logo}
生物基高性能尼龍?jiān)?1,5-戊二胺的生物催化合成技術(shù)
已有樣品/n本項(xiàng)目建立了從葡萄糖生產(chǎn)戊二胺完整的工藝包。創(chuàng)新了自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的賴(lài)氨酸生產(chǎn)菌種，糖酸轉(zhuǎn)化率達(dá)到75%，是報(bào)道最高水平；通過(guò)蛋白質(zhì)工程手段獲得了耐受高溫、高pH且具有高活性的賴(lài)氨酸脫羧酶突變體，其酶學(xué)性能處于已報(bào)道的最高水平；通過(guò)調(diào)整酶的生產(chǎn)工藝和賴(lài)氨酸催化工藝，利用該酶進(jìn)行戊二胺轉(zhuǎn)化，1噸發(fā)酵罐上6h內(nèi)可以獲得218g/L的戊二胺，摩爾轉(zhuǎn)化率大于98%；打通了戊二胺提取路線(xiàn)。經(jīng)過(guò)初步核算，戊二胺的生產(chǎn)成本可以控制在1.4萬(wàn)每噸左右，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于己二胺（2.5萬(wàn)每噸）。該成果已申請(qǐng)4項(xiàng)中國(guó)發(fā)明
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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儲(chǔ)能系統(tǒng)與火電機(jī)組聯(lián)合參與二次調(diào)頻的控制策略與系統(tǒng)
1. 痛點(diǎn)問(wèn)題
儲(chǔ)能系統(tǒng)與發(fā)電機(jī)組聯(lián)合參與電網(wǎng)二次調(diào)頻是目前已商業(yè)化應(yīng)用的儲(chǔ)能運(yùn)營(yíng)模式。以鋰電池為代表的儲(chǔ)能系統(tǒng)具有響應(yīng)速度快、雙向功率調(diào)節(jié)精度高的優(yōu)點(diǎn)，投資較小規(guī)模的儲(chǔ)能系統(tǒng)就可以使得火電機(jī)組的調(diào)頻性能得到明顯提升，在按性能指標(biāo)計(jì)算補(bǔ)償費(fèi)用的調(diào)頻輔助服務(wù)競(jìng)爭(zhēng)中具有明顯優(yōu)勢(shì)，可以獲得可觀的收益。為節(jié)約投資成本，通常配置儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率僅為火電機(jī)組額定容量的3~5%，儲(chǔ)能按額定功率持續(xù)放電的時(shí)間不到1小時(shí)。
目前儲(chǔ)能系統(tǒng)基本采用“外掛”的形式與火電機(jī)組聯(lián)合調(diào)頻，儲(chǔ)能系統(tǒng)需根據(jù)火電機(jī)組運(yùn)行情況優(yōu)化自身的充放電功率。由于儲(chǔ)能系統(tǒng)能量受限，剩余電量可能處于過(guò)高或過(guò)低的狀態(tài)而影響其可用性和使用壽命。在儲(chǔ)能進(jìn)行能量恢復(fù)的時(shí)段，無(wú)法有效跟蹤電網(wǎng)的調(diào)頻指令。由于電網(wǎng)調(diào)度發(fā)送給發(fā)電機(jī)組的調(diào)頻信號(hào)是隨機(jī)的，因此儲(chǔ)能系統(tǒng)需要有智能的自適應(yīng)控制策略。
2. 解決方案
本項(xiàng)目技術(shù)成果針對(duì)電網(wǎng)調(diào)度AGC指令的特點(diǎn)和火電機(jī)組的運(yùn)行特性，通過(guò)設(shè)計(jì)儲(chǔ)能系統(tǒng)與火電機(jī)組聯(lián)合運(yùn)行方案，綜合考慮儲(chǔ)能系統(tǒng)的運(yùn)行狀態(tài)和約束，實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)能系統(tǒng)與火電機(jī)組聯(lián)合的優(yōu)化控制。
清華大學(xué)
2021-10-26
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用固—液相結(jié)合法進(jìn)行單聚乙二醇化胸腺五肽的合成技術(shù)
現(xiàn)有胸腺五肽體內(nèi)降解速度快，半衰期短。本研究涉及一種長(zhǎng)效胸腺五肽的合成方法，采用固-液相相結(jié)合法合成單聚乙二醇化胸腺五肽（mPEG-TP5）的方法。
蘭州大學(xué)
2021-04-14
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二維磁性CrI3中磁序引入的反常偏振拉曼散射譜
近年來(lái)二維磁性材料由于其豐富的物理性能以及廣闊的應(yīng)用前景吸引了廣泛的關(guān)注。在眾多的二維磁性材料中，CrI3由于層間反鐵磁相互作用弱，可以通過(guò)外加磁場(chǎng)、電場(chǎng)、摻雜與壓力等外部手段進(jìn)行調(diào)控，使得其在磁電存儲(chǔ)、自旋濾波、自旋晶體管等方面展現(xiàn)了潛在的應(yīng)用價(jià)值，從而成為近幾年來(lái)的研究焦點(diǎn)。 除了應(yīng)用前景以外，二維磁性材料還有許多新奇的物理性質(zhì)，例如最近人們?cè)陔p層CrI3中，發(fā)現(xiàn)層間反鐵磁序破壞了
南方科技大學(xué)
2021-04-14
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基于非接觸式掃描二維碼的電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)和方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于非接觸式掃描二維碼的電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)和方法，包括充電樁、設(shè)于各充電 樁的第一信息采集裝置、第二信息采集裝置、信息處理模塊、通信模塊和顯示模塊；第一信息采集裝置、 第二信息采集裝置、通信模塊、顯示模塊均與信息處理模塊信號(hào)連接；信號(hào)處理模塊通過(guò)通信模塊與云 服務(wù)器信號(hào)連接。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了非接觸式的充電樁控制，簡(jiǎn)化了電動(dòng)汽車(chē)的充電操作，方便了運(yùn)營(yíng)商對(duì) 充電樁的管理，并可實(shí)現(xiàn)無(wú)人值守情況下充電費(fèi)率的自動(dòng)調(diào)節(jié)，從而促進(jìn)城市智能充電網(wǎng)絡(luò)的
武漢大學(xué)
2021-04-14
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一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜，透明導(dǎo)電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開(kāi)了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點(diǎn)-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點(diǎn)，同時(shí)摻雜硅量子點(diǎn)與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強(qiáng)電子空穴的輻射復(fù) 合。此外，利用銀納
華中科技大學(xué)
2021-04-14