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一種低碳處理固體垃圾并抑制二噁英生成的方法
本發(fā)明公開了一種低碳處理固體垃圾并抑制二噁英生成的方法，包括如下步驟：S1 粉碎固體垃圾；S2 對(duì)所述經(jīng)粉碎的固體垃圾執(zhí)行化學(xué)鏈燃燒處理，所述化學(xué)鏈燃燒溫度范圍為 800℃～1000℃，該化學(xué)鏈燃燒采用經(jīng)過(guò)吸附劑修飾的氧載體，該經(jīng)過(guò)吸附劑修飾的氧載體粒徑為 0.1mm～0.3mm，所述吸附劑能吸附并固定氣態(tài)氯元素，冷凝并捕獲化學(xué)鏈燃燒獲得的二氧化碳。本發(fā)明方法解決了目前固體垃圾焚燒過(guò)程中碳排放量高、同時(shí)易產(chǎn)生二噁英的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種二維納米 SnSe2 晶體材料的制備方法
本發(fā)明公開了一種二維納米 SnSe2 晶體材料的制備方法，采用 化學(xué)氣相沉積法用單質(zhì)硒和鹵化錫在襯底上沉積所需厚度的 SnSe2 晶 體；其中，沉積設(shè)備為水平管式爐，順序設(shè)有上游低溫區(qū)、中心溫區(qū) 以及下游低溫區(qū)，所述單質(zhì)硒和鹵化錫分別獨(dú)立但緊靠放置于上游低 溫區(qū)，所述襯底放置于下游低溫區(qū)；利用不同溫區(qū)的溫度差，單質(zhì)硒 蒸汽和鹵化錫蒸汽形成于上游低溫區(qū)；兩者反應(yīng)生成 SnSe2，并通過(guò) 沉積載氣帶入下游溫區(qū)，在襯底上沉
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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基于快速二值編碼的高分辨率遙感影像場(chǎng)景分類方法
本發(fā)明提供了一種基于快速二值編碼的高分辨率遙感影像場(chǎng)景分類方法，包括步驟:步驟 1，劃分 待分類遙感影像獲得場(chǎng)景單元;步驟 2，從場(chǎng)景單元中提取尺寸相同的圖像塊作為局部圖像塊訓(xùn)練樣本; 步驟 3，采用非監(jiān)督學(xué)習(xí)法學(xué)習(xí)局部圖像塊訓(xùn)練樣本獲得濾波器組;步驟 4，將場(chǎng)景單元與濾波器組中 各濾波器分別做卷積獲得各場(chǎng)景單元的幅濾波器響應(yīng)圖，采用二值編碼法分別融合各場(chǎng)景單元的幅濾波 器響應(yīng)圖獲得各場(chǎng)景單元的全局特征描述;步驟 5，基于場(chǎng)景單元的全局特征描述進(jìn)行場(chǎng)景單元分類。 本發(fā)明在保證場(chǎng)景分類精度的前提下，大大降低了非監(jiān)學(xué)習(xí)法的計(jì)算代價(jià)。
武漢大學(xué)
2021-04-13
第二屆高校現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)學(xué)院建設(shè)與發(fā)展論壇在青島舉辦
10月12日，第二屆高校現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)學(xué)院建設(shè)與發(fā)展論壇在山東青島舉辦。
中國(guó)高等教育學(xué)會(huì)
2023-10-25
第二屆高等學(xué)校科技創(chuàng)新大會(huì)主論壇在青島舉辦
10月12日，第二屆高等學(xué)校科技創(chuàng)新大會(huì)主論壇在山東青島舉辦。
中國(guó)高等教育學(xué)會(huì)
2023-10-18
第二屆智慧校園新技術(shù)創(chuàng)新論壇在青島舉辦
10月13日，第二屆智慧校園新技術(shù)創(chuàng)新論壇在山東青島順利召開。
中國(guó)高等教育學(xué)會(huì)
2023-11-08
第二屆高等學(xué)校科技創(chuàng)新大會(huì)主論壇在青島舉辦
10月12日，第二屆高等學(xué)校科技創(chuàng)新大會(huì)主論壇在山東青島舉辦。
中國(guó)高等教育學(xué)會(huì)
2023-10-18
第二屆中國(guó)高校就業(yè)育人大會(huì)嘉賓演講資料分享
第58·59屆中國(guó)高等教育博覽會(huì)系列活動(dòng)
中國(guó)高等教育博覽會(huì)
2023-05-23
制備隱藏二維碼圖像全息防偽標(biāo)簽的方法及其識(shí)別裝置
制備隱藏二維碼圖像全息防偽標(biāo)簽的方法及其識(shí)別裝置，屬于防偽標(biāo)簽制備及識(shí)別領(lǐng)域，解決現(xiàn)有裸露二維碼圖像防偽力度不高的問(wèn)題。本發(fā)明的方法，依次得到數(shù)據(jù)符號(hào)密文、生成二維碼圖像、得到傅里葉變換頻譜圖、繪制信息調(diào)制條紋圖像、形成方形縮微條紋圖像、將多個(gè)方形縮微條紋圖像排列成組合圖案、將組合圖案制成浮雕圖案母板，最后將浮雕圖案母板復(fù)制到標(biāo)簽材料上。本發(fā)明的識(shí)別裝置，包括激光光源、全反鏡、標(biāo)簽平臺(tái)、毛玻璃片、圖像傳感器、信號(hào)采集模塊、識(shí)別模塊、顯示屏及語(yǔ)音播報(bào)器。本發(fā)明將隱藏有經(jīng)信息加密的二維碼衍射光柵條紋制作在全息防偽標(biāo)簽上，識(shí)別需經(jīng)特殊處理，同時(shí)信息經(jīng)過(guò)加密，將大大提高防偽性能。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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基于二維材料的超短溝道非易失閃存器件及其制備方法
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種基于二維材料的超短溝道非易失閃存器件及其制備方法。本發(fā)明通過(guò)原子級(jí)薄層溝道和柵疊層設(shè)計(jì)降低特征長(zhǎng)度，從而促進(jìn)器件尺寸微縮；該器件通過(guò)能帶設(shè)計(jì)和范德華堆疊高質(zhì)量界面降低隧穿勢(shì)壘，實(shí)現(xiàn)十納秒級(jí)編程/擦除速度和非易失特性；器件的短溝道通過(guò)垂直沉積和傾斜沉積兩步法工藝實(shí)現(xiàn)，且溝道長(zhǎng)度能夠通過(guò)改變電極厚度和沉積角度來(lái)調(diào)控。本發(fā)明能在不使用先進(jìn)光刻技術(shù)前提下，實(shí)現(xiàn)亞10nm溝道長(zhǎng)度，突破硅基閃存器件的溝道長(zhǎng)度微縮瓶頸，為新型高速非易失存儲(chǔ)器的高密度集成提供新解決方案。
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12