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1、中高端數(shù)控車床的設(shè)計、研究；2、數(shù)控機床的發(fā)展方向；3、機床裝配關(guān)鍵工藝；4、中高端數(shù)控機床專利技術(shù)

本發(fā)明公開了一種井下高溫的中高頻變壓器及其參數(shù)獲取方法， 包括磁芯單元、原邊繞組、副邊繞組和固定架。磁芯由多個高溫特性 良好的環(huán)形納米晶磁芯組成，繞組均勻繞在每個環(huán)形磁芯上，原邊繞 組在內(nèi)層，副邊繞組在外層，并且每個環(huán)形磁芯上的原副邊繞組匝數(shù) 都相同，相鄰兩個磁芯上的原副邊繞組采用串聯(lián)形式連接。所有磁芯 及繞組采用同軸縱向排列，并固定在固定架上，相鄰的兩個磁芯之間 留有一定的距離，便于散熱。整個變壓器采用高溫環(huán)氧樹脂灌封，原 邊繞組經(jīng)原邊接線端子引出，副邊繞組經(jīng)副邊接線端子引出。該變壓 器體積靈活，

本發(fā)明提供了一種計及非共振傳輸?shù)闹懈哳l局部動響應(yīng)預(yù)示方法，將聲?固耦合結(jié)構(gòu)解耦為結(jié)構(gòu)子系統(tǒng)和聲腔子系統(tǒng)，分別建立子系統(tǒng)的有限元模型，并對子系統(tǒng)進行模態(tài)分析，計算子系統(tǒng)之間的陀螺耦合系數(shù)；建立各個模態(tài)上關(guān)于角頻率的功率流平衡方程，進而獲得子系統(tǒng)在角頻率處的模態(tài)能量；確定子系統(tǒng)在研究頻帶內(nèi)的模態(tài)階數(shù)，并計算各個模態(tài)計及非共振傳輸?shù)哪B(tài)能量；建立子系統(tǒng)在研究頻帶內(nèi)的模態(tài)能量與模態(tài)振型幅值之間的關(guān)系；基于局部能量預(yù)示理論求解結(jié)構(gòu)和聲腔子系統(tǒng)的局部能量響應(yīng)。本發(fā)明方法與現(xiàn)有統(tǒng)計模態(tài)能量分布分析法相比，考慮了非共振模態(tài)間的功率傳輸，因此計算得到的模態(tài)能量更加接近真實值，進而能夠更精確地預(yù)示大阻尼系統(tǒng)的中高頻局部動響應(yīng)。

本發(fā)明公開了一種面向中高壓智能配電網(wǎng)的橋臂復(fù)用電力電子變壓器，包括模塊化多電平變流器、輸入串聯(lián)輸出并聯(lián)隔離型DC?DC變換器和變流器；模塊化多電平變流器輸出的正極連接第一個隔離型DC?DC變換器模塊的輸入側(cè)逆變橋前一橋臂的中間點，負(fù)極連接最后一個隔離型DC?DC變換器模塊的輸入電容負(fù)端；相鄰兩個隔離型DC?DC變換器模塊的連接方式為前一模塊的輸入電容負(fù)端連接后一模塊的逆變橋前一橋臂的中間點；隔離型DC?DC變換器的輸入電容串聯(lián)而成的橋臂作為上一級模塊化多電平變流器的電容橋臂，前后兩級共用一個電容橋臂。本發(fā)明中MMC跟隔離型DC?DC變換器共用一組電容橋臂，降低了系統(tǒng)成本；可以避免在MMC模塊輸出電壓短路的情況下，ISOP輸入電容短路的問題。

簡介：本發(fā)明公開了一種顯示中高牌號無取向硅鋼凝固枝晶組織的侵蝕劑及侵蝕方法，屬于金相檢驗分析技術(shù)領(lǐng)域。該侵蝕劑的成分及配比為：苦味酸1.5～2.0g，蒸餾水35～50ml，鹽酸0.4～0.6ml，無水氯化銅0.3～0.5g，十二烷基苯磺酸鈉0.5～1g。該侵蝕劑的侵蝕方法：先將已配好的侵蝕劑加熱至沸騰狀態(tài)，然后把已加工好的試樣拋光面朝下，懸置于侵蝕劑中，侵蝕時間8～15s；侵蝕結(jié)束后先對侵蝕表面進行清水沖刷和棉球擦拭處理；然后將試樣在拋光機1/2半徑處拋光5～10s。本發(fā)明侵蝕時間短，操作程序簡單；可快速觀察到中高牌號無取向硅鋼清晰的一次、二次凝固枝晶組織，從而能為優(yōu)化其連鑄工藝，增加鑄坯等軸晶比例提供技術(shù)依據(jù)。  

成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級為千歐, 刻槽后數(shù)量級為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術(shù)指標(biāo)如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導(dǎo)體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無線網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用：協(xié)作無線網(wǎng)絡(luò) 5 移動通信—LTE 技術(shù)

（專利號：ZL 201410238970.5） 簡介：本發(fā)明公開了一種AlCrTiSiN/AlCrN多元梯度工具涂層，屬于材料表面鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明涂層是由多弧離子鍍技術(shù)制備的中高溫自潤滑多元梯度涂層，為三層梯度結(jié)構(gòu)，分別為CrN層、AlCrN層和AlCrTiSiN層，所述AlCrN梯度過渡層厚度為0.84～1.09μm，AlCrTiSiN工作層厚度為1.61～2.36μm；所述AlCrTiSiN工作層中含有50～70％的(Al，Cr)