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低溫流動層法制備碳氮化物涂層的關鍵技術在精密模具上應用
為了解決高精度模具表面強化處理變形和高溫技術在工業大規模推廣應用中的瓶頸問題，本項目提出利用低溫流動層法進行碳氮化物涂層制備的方法，應用于高精密模具表面強化處理。通過氣流與粉末在600℃左右形成左右的流動層的熱輻射特性，在高精密模具表面制備高耐磨高耐蝕的碳氮化物涂層，是由碳化物和氮化物復合而成，兼具碳化物和氮化物的優點，具有高熔點、高硬度、耐磨、耐氧化、耐腐蝕等特性，并具有良好的導熱性、導電性和化學穩定性，適用于要求較低的摩擦系數和較高硬度高精密模
常州大學
2021-04-14
上四下四回流焊,回流焊接機QS-F830
產品詳細介紹上四下四回流焊,回流焊接機QS-F830 http://www.qinsidianzi.com/
深圳市勤思科技有限公司
2021-08-23
福建省財政廳 福建省科學技術廳關于下達2022年科技創新專項資金（市級）的通知
為進一步提高我省科技創新能力，推進關鍵核心技術攻關，強化戰略科技力量，推動科技成果轉移轉化，營造創新創業創造良好環境，全面提升科技創新治理能力。
福建省科學技術廳
2022-04-25
我校王琴教授團隊在《Physical Review Applied》上發表量子數字簽名最新研究成果
我校量子信息技術研究所王琴教授團隊在量子密碼領域取得新進展，該團隊首次利用參量下轉換光源實現了被動式誘騙態量子數字簽名，達到了200公里的安全傳輸距離，創造了當前量子數字簽名實驗的最新記錄。該成果9月19日在線發表在國際權威學術期刊《Physical Review Applied》上。
量子數字簽名是量子密碼學的重要應用方向之一。相比經典數字簽名，量子數字簽名原則上具有量子力學賦予的無條件安全性，在密碼學中具有巨大的發展潛力，因而得到學術界的廣泛關注。目前大多數研究團隊使用的是主動式多強度誘騙態方案，可能存在著強度調制側信道漏洞，直接影響量子數字簽名系統的實際安全性。此前報道過的量子數字簽名最遠安全傳輸距離為134公里。針對目前主動式多強度誘騙態量子數字簽名協議存在的缺點，我校王琴教授團隊在自主研制的新型標記單光子源基礎上，提出了被動式誘騙態的量子數字簽名方案，從協議層面提高了安全性。隨后，他們對提出的量子數字簽名方案進行了原理性驗證，在100公里處每7秒可簽名1比特消息，兼顧了安全性和實用性。另外，該實驗將量子數字簽名的安全傳輸距離紀錄刷新到了200公里，充分展示了標記單光子源在量子密碼中的優勢，為未來量子數字簽名的實際應用打下良好基礎。
該項工作的第一作者是我校通信與信息工程學院博士生張春輝，量子信息技術研究所的王琴教授和張春梅老師是該工作的共同通訊作者。該工作得到了中國科學技術大學量子信息重點實驗室韓正甫、陳巍、王雙、銀振強，南京大學張臘寶等人提供的技術支持。此項工作受到國家重點研發計劃，國家自然科學基金以及江蘇省優勢學科等項目支持。
南京郵電大學
2021-04-26
|李微、謝唯佳在化學領域頂級期刊上合作發表高水平論文
近日，我校藥學院李微研究員和謝唯佳副教授合作在化學領域頂級期刊AngewandteChemieInternationalEdition（IF：15.336）上發表了關于多種復雜脫氧糖糖鏈的立體選擇性高效合成的高水平論文。
中國藥科大學
2022-07-11
計算機仿真與試驗檢測的減振降噪研究及其在工程機械上的應用
科研團隊經過3年多研究，形成了集理論分析、試驗測試和計算機仿真于一體的技術方法，為工程單位整機性能進行振動與噪聲評估、分析、優化及驗證。
一、項目分類
關鍵核心技術突破
二、成果簡介
科研團隊經過3年多研究，形成了集理論分析、試驗測試和計算機仿真于一體的技術方法，為工程單位整機性能進行振動與噪聲評估、分析、優化及驗證。
研究成果早期應用與寧波大學與玉柴動力的發動機減振降噪、方太葉輪異音減振項目，并在山東巨明集團的452、688等玉米機械上進行了減振降噪的優化改進上，使其發動機、駕駛室的傳遞率分別從156%降低至75%、157%降低至78%，駕駛室舒適性也得以大幅度改善，有效地提升了該款產品市場競爭力。2019年該兩款產品的銷售量為22500萬元，年增長約20%。
2019年寧波大學與柳工集團所簽訂的TC800起重機減振降噪技術合同是本項目技術的進一步推廣應用。
寧波大學
2022-08-16
一種 SRAM 型 FPGA 的配置、刷新與程序上注一體化系統
本發明公開了一種 SRAM 型 FPGA 的配置、刷新與程序上注一體化系統，屬于航天技術領域，目的是克服在空間輻照環境下 SRAM型 FPGA 的 SEU(Single-Event-Upset，單粒子翻轉)問題，具備對長時間在軌工作的 SRAM 型 FPGA 進行程序升級的能力。本發明包括現場可編程邏輯門陣列 SRAM 型 FPGA、綜合管理反熔絲 FPGA、配置程序存儲芯片 PROM、在軌升級程序存放芯片 EEPORM、RS42
華中科技大學
2021-04-14
一種鈦基底上制備有機分子雜化TiO2納米復合薄膜的方法
一種鈦基底上制備有機分子雜化TiO2納米復合薄膜的方法，其主要步驟是：A、將純鈦片兩次放入多巴胺溶液中各浸泡10-14h，得涂層模板；B、將沒食子酸、己二胺配成混合溶液，置于35-39℃的水浴中，再將涂層模板在混合溶液中浸3-5h，取出超聲清洗三遍，得有機分子層模板；C、將0.1-0.2 mol/L的(NH4)2TiF6溶液和0.2-0.4 mol/L的H3BO3溶液，按體積比1:1混合成混合液；再調節PH值至2.7-2.9；D、將有機分子層模板浸入混合液中，在45-55℃的水浴鍋中浸泡10-40h，即得。該法在鈦基底上制備得到的TiO2薄膜的結合力高、分布均勻、光電轉換效率高，生物相容性好。
西南交通大學
2016-10-25
功能納米與軟物質研究院Mario Lanza教授課題組在Nature Electronics上發表論文
隨著憶阻器在非易失性存儲器、模擬人類大腦的深度學習等重要領域的研究逐步深入，憶阻器的研究得到越來越多的重視。在固態電子器件和電路中應用二維材料，將有助于擴展摩爾定律，并能獲得優于CMOS的先進產品。基于二維材料的憶阻器能夠應用于信息存儲和神經態計算，具有高熱穩定性，閾值型和雙極型阻變共存，增強、抑制和弛豫的高度可控性，以及出色的機械穩定性和透明度等優點。 近日，功能納米與軟物質研究院Mario Lanza教授在Nature子刊《Nature Electronics》上發表了題為“Wafer-scale integration of two-dimensional materials in high-density memristive crossbar arrays for artificial neural networks”的封面文章。作者提出二維材料六方氮化硼（h-BN）可以作為高密度憶阻陣列的阻變材料，構建可用于圖像識別的人工神經網絡的器件。其獲得h-BN基憶阻陣列器件成品率高達98%，且表現出超低的周期間差異性（低至1.53％）和出色的器件間差異性（低至5.74％）。圖像分類器的仿真結果表明，所測得的器件I-V曲線的均一性足以匹配理想軟件實現所需的精度。
蘇州大學
2021-02-01
推動新時代科普工作邁上新臺階，夯實社會主義現代化建設根基
近日，中共中央辦公廳、國務院辦公廳印發《關于新時代進一步加強科學技術普及工作的意見》（以下簡稱《意見》），為新時代科普工作指明了方向。
科技日報
2022-09-05