一種三維量子阱結(jié)構(gòu)光電裸芯片
一種三維量子阱結(jié)構(gòu)光電裸芯片,屬于一種量子阱結(jié)構(gòu)光電裸芯片,解決現(xiàn)有三維量子阱結(jié)構(gòu)光電裸芯片工作面積有限、工藝復(fù)雜、成本高的問題。本實用新型自下而上包括:襯底層、緩沖層、n 型層、量子阱層、p 型層,所述襯底層、緩沖層、n 型層、量子阱層和 p 型層表面形狀走向一致,均為均勻分布的凸臺陣列或者均勻分布的凹槽陣列,或者均勻分布的相間的凸臺和凹槽所構(gòu)成的陣列。本實用新型增大了襯底層工作面積,在其上直接生長一層緩沖層來進行應(yīng)力與晶格匹配,克服了工作面積與襯底面積之比較低所帶來的量子轉(zhuǎn)換效率低的問題;本實用
華中科技大學(xué)
2021-04-14