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二氧化氯（ClO?）是一種黃綠色強氧化性氣體，高濃度時為橙黃色，其穩定性溶液是國際公認的廣譜、高效、安全、無有害殘留綠色消殺劑，能殺死病毒、細菌、原生生物、藻類、真菌和各種孢子及孢子形成的菌體，且消殺過程中不與有機物發生氯代反應產生“三致”（致癌、致畸、致突變）作用。 由南京工業大學化學與分子工程學院陳國松教授團隊開發的二氧化氯穩定性溶液消毒殺生劑具有刺激性低，有效使用濃度較低，且低濃度時對人體的影響可以忽略，對皮膚亦無致敏作用，適用的pH范圍寬廣，酸性和堿性條件下均能保持較高的消殺能力等特點。該消毒殺生劑可適合于水體消毒殺菌，對病毒等微生物有較強的吸附能力，能快速抑制微生物蛋白質的合成與復制，對可能受到新冠病毒污染的水體消殺能力優于84等其他消毒劑，可在此次疫情防控中發揮顯著作用。 

可以量產/n撞擊流（Impinging streams, IS）是一種較新穎的技術方法，其基本原理是：兩股等量兩相流沿同軸相向流動，并在中點處撞擊。其結果是在兩根加速管之間造成一個高度湍動的撞擊區，大大地強化了傳質過程。。采用撞擊流氣液反應器（ZL200620095838.4），鈉鈣雙堿法（有條件企業也可采用氨法）脫除尾氣（煙氣）中的SO2，在國際上屬先進的、具有創新性的脫硫技術。示范工程表明，含SO2高達2000mg/m3的氣體經撞擊流氣液反應器脫硫后，排出的尾氣中SO2含量降至100mg/m3以下，完全能達到國家《硫酸工業污染物排放標準》（GB26132-2010）的要求。。傳統的塔式濕法脫硫裝置存在需內裝填料，或需設備尺寸大的缺點。撞擊流氣液反應器充分利用了本身具有良好的微觀混合、可大大強化傳遞過程的特點，因而使其結構簡單，設備尺寸小，可節省設備初投資。。撞擊流氣液反應器，由于在導氣管內裝有壓力漩渦噴嘴（亦是自有專利技術，ZL00230305.1），可將脫硫液分散成幾十微米的液滴，可大大增加氣液接觸面積，再加上其良好的微觀混合和強化傳質，因而可大大降低液氣比（僅為0.35-0.50 L/m3左右；相比之下傳統的塔式濕法脫硫裝置液氣比高達2～3L/m3），一般塔式濕法脫硫裝置設備阻力約為1200～2000Pa，撞擊流氣液反應器的氣相阻力約為300～500Pa，有效降低了運行成本。。支持額度：。500。萬元。承接單位：。湖北省。項目進展：。撞擊流（Impinging streams, IS）是一種較新穎的技術方法，其基本原理是：兩股等量兩相流沿同軸相向流動，并在中點處撞擊。其結果是在兩根加速管之間造成一個高度湍動的撞擊區，大大地強化了傳質過程。采用撞擊流氣液反應器（ZL200620095838.4），鈉鈣雙堿法（有條件企業也可采用氨法）脫除尾氣（煙氣）中的SO2，在國際上屬先進的、具有創新性的脫硫技術。示范工程表明，含SO2高達2000mg/m3的氣體經撞擊流氣液反應器脫硫后，排出的尾氣中SO2含量降至100mg/m3以下，完全能達到國家《硫酸工業污染物排放標準》（GB26132-2010）的要求。傳統的塔式濕法脫硫裝置存在需內裝填料，或需設備尺寸大的缺點。撞擊流氣液反應器充分利用了本身具有良好的微觀混合、可大大強化傳遞過程的特點，因而使其結構簡單，設備尺寸小，可節省設備初投資。撞擊流氣液反應器，由于在導氣管內裝有壓力漩渦噴嘴（亦是自有專利技術，ZL00230305.1），可將脫硫液分散成幾十微米的液滴，可大大增加氣液接觸面積，再加上其良好的微觀混合和強化傳質，因而可大大降低液氣比（僅為0.35-0.50 L/m3左右；相比之下傳統的塔式濕法脫硫裝置液氣比高達2～3L/m3），一般塔式濕法脫硫裝置設備阻力約為1200～2000Pa，撞擊流氣液反應器的氣相阻力約為300～500Pa，有效降低了運行成本。。項目基本內容：。鈉堿吸收劑反應活性高、吸收速度快，在液氣比一定的情況下，脫硫達到較高的脫硫效率；吸收劑的再生和脫硫渣的沉淀發生在反應器外，大大降低了反應器和管道內的結垢機會，避免了反應器內堵塞和磨損；石灰作再生劑（實際消耗物），安全可靠，來源廣泛，價格低；操作簡便，系統可長期穩定運行。

從天體物理動力學理論出發，闡釋一類新的引力波天體的形成和演化過程。和此前已知的其他引力波源不同，這類新的天體同時輻射毫赫茲和百赫茲兩種頻率的引力波，因此可能被空間和地面引力波探測器同時觀測到。 愛因斯坦的廣義相對論預言引力能夠在時空中激起漣漪，并且這種“引力波”以光的速度傳播。自2015年9月14日美國的激光干涉引力波天文臺（Laser Interferometer Gravitational-wave Observatory，簡稱LIGO）首次探測到兩個黑洞合并所激發的引力波后，引力波天文學立刻升級成為一門新興的實測科學。目前LIGO和歐洲的另一臺地面探測器Virgo協同觀測，已經探測到了五起雙黑洞并合事件和一起雙中子星繞進事件。 傳統的天體物理動力學理論預言：一個數百萬倍太陽質量的超大質量黑洞和一個數十倍太陽質量的恒星級黑洞會形成“極端質量比旋進系統”，即extreme-mass-ratio inspiral，簡稱“EMRI”。這種系統會輻射0.001赫茲左右的低頻引力波。這種引力波是未來的空間引力波探測器，比如歐美的激光干涉空間天線（Laser Interferometer Space Antenna，簡稱“LISA”）和中國提出的“太極”、“天琴”等計劃，最重要的探測目標之一。圖一：雙星極端質量比旋進系統想象圖。圖二：b-EMRI系統的形成(i)、圓化(ii)、和終結(iii)示意圖。 陳弦和韓文標的研究發現，EMRI系統中的“小家伙”其實可能是由兩個恒星級黑洞組成的雙星（binary）。他們把這種恒星級雙黑洞和超大質量黑洞組成的三體系統稱作“雙星極端質量比旋進系統”，即binary extreme-mass-ratio inspiral，簡稱“b-EMRI”（如圖一所示）。 在文章中，陳弦和韓文標系統闡述了恒星級雙黑洞如何被超大質量黑洞潮汐捕獲（圖二中i過程），又是如何旋進（inspiral）到超大質量黑洞幾十倍視界半徑處，從而可能被空間低頻引力波探測器觀測到（見圖二中ii過程）。 這項工作的獨到之處在于作者引入了先進的相對論三體數值模擬技術，用于追蹤恒星級雙黑洞在超大質量黑洞附近的動力學演化。因此他們發現兩個恒星級黑洞有較高的概率并合，從而輻射地面天文臺也能夠探測到的高頻引力波（見圖二中iii過程）。 因為b-EMRI同時輻射低、高頻兩種引力波，就像高、低兩聲部同時進行演唱，所以作者形象的稱之為“二重唱”引力波天體。未來聯合地、空探測器尋找到這類天體，將有助于人們進一步理解引力波的產生、傳播、以及強引力場所造成的多種非線性動力學過程。

主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，需要開發基于新材料和新原理的晶體管技術來延續摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現實要求，因此亟需實現晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區化學氣相沉積系統，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現出優異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態電流（45μA/μm）。相關成果發表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

已有樣品/n使用有機電荷轉移分子F4TCNQ與MoS2結合形成范德華界面，通過F4TCNQ與MoS2之間的電荷轉移來降低溝道內無柵壓情況下的載流子濃度。MoS2晶體管的開啟電壓（Von）從負數十伏被調制至0伏附近，F4TCNQ并未導致MoS2晶體管包含遷移率在內的任何電學性能的下降，其亞閾值擺幅（SS）反而明顯提升。團隊成員通過第一性原理計算以及掃描開爾文探針顯微鏡表征證實了范德華界面處電荷轉移的存在性，并研究了F4TCNQ對Mo

項目成果/簡介:世界上有數以百萬的語言障礙患者，其中有的是由于先天缺陷導致其存在語言功能障礙，也有的是后天的一些疾病致使其喪失語言功能，語言功能障礙給他們的生活帶來了極大的困難和不便。電子人工喉是一種簡易的語言康復方法，其通常需要安裝在口內喉部，由肺部發出的氣流經過舌、唇的調制，引起人工喉膜片振動，使其發出語音信號。然而，現有電子喉助音器無法清晰還原患者聲音，發音模糊，訓練周期長，并且需要患者自己手持助

專利名稱：

項目簡介國內常用的濕式催化氧化脫硫工藝是 HPF 法、PDS 法或其它的催化氧化工藝。催化氧化脫硫工藝的優點是脫硫效率高， 操作費用低， 建設費用少， 設備結構簡單等。 其缺點是脫硫工藝產生的脫硫廢液無處理工藝相聯合， 產生的廢液成為焦化廠的麻煩； 脫硫工藝過程產生的硫泡加工能耗高， 質量低， 市場小， 操作環境壞。 為此， 我們開發了“無硫泡催化氧化氨法前脫硫——廢液處理” 和“無硫泡催化氧化——廢液處理” 兩種工藝， 適用于新上工程或老工藝改造。成熟程度和所需建設條件

項目簡介： 隨著并行計算系統中處理器數目的快速 增加，  系統

（專利號：ZL 201310571564.6） 簡介：本發明公開一種二元RuS2多相催化劑的制備方法，屬于釕催化劑制備技術領域。該催化劑由載體和活性組分構成，載體為ZSM-5、SBA-15、γ-Al2O3以及SiO2中的任一種，活性組分為Ru，將RuCl3·3H2O溶于乙醇中，將載體放入其中，攪拌混合均勻后烘干，然后放入高壓反應釜中程序升溫至200～220℃進行預硫化，將預硫化后得到的黑色固體放入真空干燥箱烘干制得二元RuS2催化劑。本發