SiC/Al 復合材料具有高導熱、低膨脹、高模量、低密度等優異的綜合性能,在電子封裝領域具有廣闊的應用前景。目前廣泛采用工藝復雜、設備昂貴的壓力浸滲制備 SiC/Al 復合材料。課題組在歷經近十年的研發過程中,采用無壓浸滲法在空氣環境下,成功制備出了電子封裝用 SiC/Al 復合材料。該制備技術工藝過程簡單,設備要求不高,成本低廉,所制備的復合材料的熱物理性能可在較寬范圍內調節,具有較好的市場應用前景。于 2010 年獲得國家發明專利授權。