本發明提供了一種具有倒裝結構的紫外發光二極管,其該二極管自下而上依次為襯底、AlN成核層、非摻雜AlN或者AlaGa1?aN緩沖層、n型AlbGa1?bN區、AlcGa1?cN?AldGa1?dN多量子阱有源區、BN電子阻擋層、AleGa1?eN?BN布拉格反射鏡結構p型區、重摻p型GaN層、ITO導電層、在ITO導電層上設置有p型歐姆電極,在n型AlbGa1?bN層上設置有n型歐姆電極,且n型歐姆電極與除n型AlbGa1?bN層以外的其他區域絕緣。該二極管有效提高了紫外LED的發光效率,同時大幅降低紫外LED的開啟電壓和電阻率。
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