本成果涉及一種可用于電子封裝領域的高導熱低介電復合材料。通過采用不同的技術在常見聚合物基材中添加氮化硼,來制備復合材料,復合材料熱導率高于 2 W/(m·K),其介電常數小于 4。該復合材料可作為熱界面材料,應用于電子封裝領域。