本發(fā)明公開(kāi)了一種鈦金屬表面原位合成 TiC-DLC 復(fù)合涂層的方法,將 Ti 靶置于鍍膜室內(nèi),并通入 烴類(lèi)氣體,對(duì)鍍膜室抽真空并保持 100~400°C溫度,采用電弧離子鍍使 Ti 離子從 Ti 靶蒸發(fā)出來(lái),同時(shí) 利用電弧放電離化烴類(lèi)氣體,從而在 Ti 靶形成 TiC 摻雜的 DLC 復(fù)合涂層。本發(fā)明采用原位合成技術(shù)在 Ti 靶材表