本發(fā)明公開了一種 ZnO 單晶納米片的制備方法。該方法利用脈沖激光沉積輔助范德瓦爾斯外延, 在范德瓦爾斯力作用的層狀材料襯底上生長出高覆蓋率的 ZnO 單晶納米片。采用高能量輔助范德瓦爾 斯沉積有利于 ZnO 在襯底上結(jié)晶,而高真空環(huán)境減少沉積過程中的能量損失,配合上合適的沉積溫度 和退火溫度,能夠改變 ZnO 的擇優(yōu)生長方向,使得 ZnO 優(yōu)先于面內(nèi)生長,改變傳統(tǒng) ZnO[001]方向擇優(yōu)
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