本發明提出了一種低熱阻熱界面制備方法,首先在襯底上制備定向生長碳納米管(VACNT),然后對VACNT 進行改性和磁化,接著通過磁對準提高 VACNT 與目標襯底間的接觸幾率,最后利用鍵合技
術實現 VACNT 與目標襯底間的鍵合。由于磁力和壓力的共同作用,VACNT 與目標襯底間形成了保形接觸,從而有效降低了界面接觸熱阻。本發明解決了 VACNT 直接作為熱界面材料的難題,為納米封裝與互
連、低熱阻封裝技術研發開辟了新思路,對促進光電集成技術發展和功率器件的研發具有推動作用
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