本發明屬于半導體制造中的套刻誤差測量領域,具體涉及一種基于穆勒矩陣的納米結構套刻誤差提取方法。本發明采用穆勒矩陣矩陣對角線上的 M13 和 M31 元素,或者 M23 和 M32 元素的線性組合分別直接擬合得到一條直線,利用該擬合直線可直接根據測量穆勒矩陣元素得到套刻誤差。該方法可以實現不同周期下一維套刻結構套刻誤差的快速、準確提取。本發明方法可以實現一維套刻結構的套刻誤差的快速、準確提取。