本發明公開了一種電場輔助寫入型磁隧道結單元及其寫入方法; 電場輔助磁隧道結單元具有雙勢壘結構,包括第一電極層,以及依次 形成在第一電極層上的第一磁性層、第一絕緣隧穿層、第二磁性層、 第一金屬層、第二絕緣層和第二電極層。第一磁性層為參照層 RL,第 一絕緣層為隧穿層 I,第二磁性層為自由層 FL,第一金屬層為非磁金 屬層 NM,第二絕緣層為介電層 I*;當在磁隧道結單元的兩端施加電 壓時,電場通過兩個絕緣層引入到 I/FL 和 FL/NM 界面,從而調控 I/FL 的界面磁各向異性,并控制 FL/NM
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