本發明公開了一種石墨烯/Cu/Ni 復合電極及其制備方法。復合 電極包括 Cu/Ni 合金層和覆蓋在 Cu/Ni 合金層上的石墨烯薄膜;其中, Cu/Ni 合金層由 Ni 膜和覆蓋在 Ni 膜上 Cu 膜發生 Ni 原子與 Cu 原子的 相互擴散形成,Ni 膜與 Cu 膜的厚度比為 1:(3~10)。本發明避免了石 墨烯轉移過程和圖形化過程對石墨烯質量的破壞,減少了石墨烯缺陷 的數目,通過調整 Ni 膜與 Cu 膜的厚度,采用分段