本發明公開了一種 MTJ 納米柱陣列的制備方法,包括 S1 在基 底上表面制備電子束光刻對準所需要的定標符;S2 根據定標符在基底 上表面制備底電極層,底電極層包括多條平行的底電極線;S3 在附著 有底電極層的基底上表面涂覆一層 HSQ,通過電子束曝光對 HSQ 層 進行圖形化,在每一條底電極線上形成多個絕緣單元;每一個絕緣單 元的中間具有一個孔;S4 依次通過光刻、濺射和剝離工藝在絕緣單元 的孔內形成磁性多層膜層;