短波紅外(SWIR)光電探測器可探測1.0–3.0μm的光譜,可廣泛應用于遙感、成像和自由空間通信等領域。傳統(tǒng)的商用SWIR光電探測器主要依賴于HgCdTe或InAs/GaSb II–型超晶格和InGaAs/GaAsSb II–型量子阱,但是它們都存在一些瓶頸。譬如,HgCdTe半導體存在原料毒性和均勻性差、產(chǎn)率低等問題。而且,HgCdTe SWIR光電探測器必須在低溫下工作才能抑制熱噪聲,以此獲得較高的比探測率。此外,基于II