團(tuán)隊(duì)與合作者首次報(bào)道了米級(jí)單晶Cu(111)襯底的制備方法,并在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了米級(jí)單晶石墨烯的外延生長(Science. Bulletin 2017, 62, 1074)。與石墨烯不同,六方氮化硼等其它絕大多數(shù)二維材料不具有中心反演對(duì)稱性,其外延生長普遍存在孿晶晶界問題:旋轉(zhuǎn)180°時(shí)晶格方向發(fā)生改變,外延生長時(shí)不可避免地出現(xiàn)反向晶疇,而在拼接時(shí)形成缺陷晶界。
開發(fā)合適對(duì)稱性的外延單晶襯底是解決這一科學(xué)難題的關(guān)鍵。研究團(tuán)隊(duì)探索出利用對(duì)稱性破缺的襯底外延非中心反演對(duì)稱二維單晶薄膜的新方
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