該工作通過直接堆疊成功制備了石墨烯-Cd 3 As 2 異質結構。電子態耦合導致顯著的層間電荷轉移,通過Cd 3 As 2 的堆疊能有效調節石墨烯的費米能級,使其變為n型摻雜。通過這種石墨烯-Cd 3 As 2 異質結構能自然地構造出石墨烯平面p-n-p結,其量子輸運測量顯示出分數值的量子化電導平臺,這來源于量子霍爾態下邊緣態輸運在p-n結等界面的平衡。此外,與裸石墨烯器件相比,石墨烯-Cd 3 As 2 異質結構器件呈現出很大的非局域(non-local)信號,在調制后的石墨烯狄拉克點附近顯示出大的非局域電阻,表明了增強的自旋極化電荷輸運,這與Cd 3 As 2 自旋極化表面態和石墨烯間的電荷轉移有關。該研究結果不僅豐富了范德瓦爾斯異質結構家族,也將激發更多的關于狄拉克半金屬或外爾半金屬在自旋電子學中應用的研究。
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