中試階段/n基于硅基材料的光互聯(lián)技術具體有高速高密度、受電磁干擾小、低功耗,兼容 于 CMOS 工藝等特點。1、在激光器研制方面,擁有基于 InP 基的微鈉尺度微腔激光 器和光子晶體激光器以及基于硅基的光發(fā)射器件;2、在光調(diào)制器研制方面擁有基 于硅基的光調(diào)制器;3、在探測器方面,擁有通過鍵合方式集成在 Si 上的 InP 基探 測器和直接在硅上外延鍺或 GeSn 的探測器等;4、擁有基于硅基的光波導器件、硅 基波分復用解復用器件以及可見光衰減器。 片上、片間光互聯(lián)技術主要應用于高性能電子芯片、超級計
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