以石墨烯為模板的少層石墨雙炔薄膜的液相范德華外延生長法。以原子級平整的二維石墨烯為基底,采用極低的單體濃度(0.04 mM),在室溫下進行偶聯反應,通過溶液相范德華外延的方法,成功制備得到了大面積均勻連續的高質量、少層石墨雙炔薄膜,高分辨透射電鏡和光譜表征證實了其高質量單晶結構。
該石墨雙炔薄膜為ABC堆垛的三層結構,電子衍射顯示石墨雙炔/石墨烯薄膜具有兩套單晶衍射點,分別對應于石墨雙炔和石墨烯的單晶衍射圖案,結果表明生長在石墨烯上的石墨雙炔與下層石墨烯的晶格取向夾角為14°。
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