本發明公開了一種硅通孔結構的制造方法,包括以下步驟:將硅片的厚度減薄至 5 微米至 20 微米;去除硅片表面的所有絕緣層;在硅片的導電區表面和絕緣區表面制作摻雜掩膜,以對導電區和絕緣區分別進行粒子摻雜,絕緣區與導電區摻雜的粒子的極性相反;在粒子摻雜完成后去除摻雜掩膜;在導電區表面覆蓋金屬電極;在硅片的表面除金屬電極之外的區域覆蓋絕緣層。本發明的方法制造工藝簡單,可避免刻蝕、絕緣處理等工藝對硅片的破壞,并能夠提高制造硅通孔結構的成品率。本發明還公開了一種硅通孔結構。
未應用
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