本發明公開了一種光學散射測量中粗糙納米結構特性參數的測 量方法,可以對 IC 制造中所涉及納米結構的結構參數和粗糙度特征參 數進行非接觸、非破壞的測量。首先,通過仿真分析的手段,選出最 優測量配置與最優等效介質模型;其次,將上述仿真結果運用于實際 納米結構的測量,包括:在最優測量配置下,對實際納米結構進行光 學散射測量,獲得測量光譜;運用基于最優等效介質模型的參數提取 算法,對測量光譜進行分析,獲得提取參數的數值;通過提取參數與 待測參數間穩定性最佳的映射關系式對提取參數進行映射,獲得待測 參數的數值。
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