葡京娱乐场-富盈娱乐场开户

|
電子科技大學
電子科技大學 教育部
  • 34 高校采購信息
  • 524 科技成果項目
  • 74 創新創業項目
  • 0 高校項目需求

超結MOSFET設計及制造技術

2021-04-10 00:00:00
云上高博會 http://www.a00n.com
關鍵詞： 超結工藝
點擊收藏
所屬領域:
電子信息
項目成果/簡介:
本成果開發了一套超結MOSFET器件的設計方法，并與上海華虹NEC(現上海華虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工藝的600~900 V級8英寸超結MOSFET工藝代工平臺，這是國內第一個量產的超結工藝平臺。所制備的超結MOSFET擊穿電壓最高可達900V，比導通電阻低至5.3Ω.mm2（900V器件）。該成果作為重要組成部分獲得了2016年四川省科技進步一等獎（“功率高壓MOS器件關鍵技術與應用”張波、喬明、任敏 等）。
項目階段:
產業化應用
會員登錄可查看 合作方式、專利情況及聯系方式

掃碼關注，查看更多科技成果

取消
百家乐官网英皇娱乐| 百家乐官网开户首选| 首席百家乐的玩法技巧和规则 | 百家乐官网赌博机怎么玩| 百威百家乐的玩法技巧和规则| 盐山县| 皇家百家乐的玩法技巧和规则| 百家乐官网平台开户哪里优惠多| 百家乐扑克投注赢钱法| 棋牌百家乐官网怎么玩| 免费百家乐统计软件| 网上百家乐官网必赢玩| 诚信真人博彩网站| bet365主页| 百家乐澳门路规则算法| 百家乐官网三多注码法| 在线百家乐策略| 百家乐官网游戏制作| 博彩网站排名| 百家乐游戏卡通| 百家乐官网群bet20| 宣化县| 大发888线上娱乐城| 百家乐游戏玩法规则| 百家乐官网庄和闲的赌法| 大发888网站是多少呢| 真人百家乐什么平台| 澳门百家乐官网庄闲的玩法| 大发888真钱娱乐城下载| 网上百家乐辅助软件| 哪个百家乐官网投注好| 威尼斯人娱乐城送| 网络百家乐玩法| 什么是百家乐官网赌博| 循化| 大富豪棋牌游戏下载| 聚龍社百家乐的玩法技巧和规则| 百家乐娱乐城足球盘网| 利来百家乐官网的玩法技巧和规则| 百家乐官网线上游戏| 大赢家足球比分|