葡京娱乐场-富盈娱乐场开户

|
電子科技大學
電子科技大學 教育部
  • 34 高校采購信息
  • 524 科技成果項目
  • 74 創新創業項目
  • 0 高校項目需求

超結MOSFET設計及制造技術

2021-04-10 00:00:00
云上高博會 http://www.a00n.com
關鍵詞： 超結工藝
點擊收藏
所屬領域:
電子信息
項目成果/簡介:
本成果開發了一套超結MOSFET器件的設計方法，并與上海華虹NEC(現上海華虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工藝的600~900 V級8英寸超結MOSFET工藝代工平臺，這是國內第一個量產的超結工藝平臺。所制備的超結MOSFET擊穿電壓最高可達900V，比導通電阻低至5.3Ω.mm2（900V器件）。該成果作為重要組成部分獲得了2016年四川省科技進步一等獎（“功率高壓MOS器件關鍵技術與應用”張波、喬明、任敏 等）。
項目階段:
產業化應用
會員登錄可查看 合作方式、專利情況及聯系方式

掃碼關注，查看更多科技成果

取消
皇冠网上69691| 大众百家乐娱乐城| 3U百家乐官网游戏| 噶尔县| 为什么百家乐官网玩家越来越多选择网上百家乐官网 | 百家乐官网博彩资讯论坛| 在线百家乐博彩网| 七乐国际| 长方形百家乐筹码| 百家乐官网信誉平台开户| 金赞百家乐娱乐城| 百家乐官网tt娱乐| 大发888客户端的 软件| 温州市百家乐官网鞋业| 水果老虎机的程序| 百家乐官网五湖四海娱乐场| 幸运水果机游戏下载| 百家乐咋个玩的| 百家乐官网用什么平台| 大发888账号申请| 百家乐游戏补牌规则| 澳门百家乐官网技术| 大发888娱乐城高手| 罗盘24山作用| 乐九百家乐官网现金网| 高尔夫百家乐的玩法技巧和规则 | 蓝盾百家乐官网平台| 娱乐城注册送彩金| 百家乐投注秘笈| 百家乐官网有没有破解之法| 百家乐官网怎么稳赚| 百家乐博彩吧| 租房做生意如何注意风水问题| 百家乐官网桩闲落注点| 博狗投注| 百家乐微笑玩| 华盛顿百家乐的玩法技巧和规则| 百家乐注册开户送彩金| 百家乐官网真人百家乐官网赌博| 百家乐官网平注法攻略| 休宁县|