隨著電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、5G基站、高鐵等技術(shù)的出現(xiàn)以及應(yīng)用，電力電子設(shè)備也逐漸向高壓大功率方向發(fā)展，功率半導(dǎo)體的性能是支撐上述前沿技術(shù)的關(guān)鍵。SiC器件作為三代半材料的典型代表器件，具有開關(guān)損耗低、耐高壓和耐高溫等優(yōu)良特性。本項(xiàng)目著重解決當(dāng)前SiC CMOS器件、功率器件尤其是MOS器件工藝、電路、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及功率器件高可靠性驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)問題。

本項(xiàng)目旨在研究SiC功率MOS器件先進(jìn)工藝，重在柵介質(zhì)可靠性研究、界面態(tài)減小相關(guān)工藝并且自行設(shè)計(jì)新型高壓高功率SiC MOS功率器件，并設(shè)計(jì)針對(duì)半橋和全橋應(yīng)用時(shí)的高壓寄生效應(yīng)抑制的有源和無源柵驅(qū)動(dòng)電路。

自行開發(fā)設(shè)計(jì)新型SiC MOS功率器件結(jié)構(gòu)、工藝流程、包括工藝的改進(jìn)、尤其是在柵介質(zhì)工藝方面、功率器件應(yīng)用的柵驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。

設(shè)計(jì)能夠有效改進(jìn)SiC MOS功率器件柵特性的新型結(jié)構(gòu)器件以及MOS功率器件結(jié)構(gòu)應(yīng)用時(shí)寄生效應(yīng)的抑制、新型高壓高可靠柵驅(qū)動(dòng)電路，適用性強(qiáng)。