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一種二維過渡金屬二硫族化合物單晶及其制備方法和應用
2021-04-14 00:00:00
云上高博會
http://www.a00n.com
關鍵詞：
二硫族化合物單晶
所屬領域:
項目成果/簡介:
本發明公開了一種二維過渡金屬二硫族化合物單晶及其制備方法和應用。在惰性氣氛中，借助常見 的可與硫族單質(S，Se)反應的金屬和氫氣輔助控制體系中 S 或 Se 的濃度，以達到控制過渡金屬層硫化 或硒化程度的目的，利用化學氣相沉積方法可控地生長 TMDs 單晶;將沉積時的溫度控制為 750°C至 850°C，并且沉積時間控制為 5 至 15 分鐘，完成 TMDs
項目階段:
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