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一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法
2021-04-14 00:00:00
云上高博會
http://www.a00n.com
關鍵詞：
半導體存儲器
所屬領域:
項目成果/簡介:
本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法，
包括多個垂直方向的三維 NAND 存儲串，每一個三維 NAND 存儲串
包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導體區域、分別位于半導體區
域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導體區域的隧穿電介
質、圍繞隧穿電介質上、下分布了多個分立的電荷存儲層、包裹了隧
穿電介質以及多個電荷存儲層的阻隔電介質層、與絕緣層相堆疊的控
制柵電極；圓柱形半導體區域包括多個存儲單元的
項目階段:
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