本技術(shù)屬于溶液法晶體生長設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種有機(jī)非線性光學(xué)晶體的溶液降溫生長方法，特別是一種方形四棱錐底式DAST晶體自發(fā)成核生長裝置，通過生長裝置和底部載晶斜板的特殊設(shè)計(jì)，大幅增加可用來生長晶體的載晶斜板有效面積，提高DAST晶體生產(chǎn)效率，同時(shí)可消除載晶斜板外的自發(fā)成核晶體生長，有效提高晶體生長的穩(wěn)定性，進(jìn)而大幅改善斜板式自發(fā)成核法生長DAST晶體的質(zhì)量。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其選用的生長裝置結(jié)構(gòu)簡單，成本低，組裝簡便，操作方便，可大幅增加晶體生長缸中用以生長晶體的有效面積，提高DAST晶體生產(chǎn)效率；同時(shí)有效控制聚四氟乙烯四棱錐外的自發(fā)成核晶體生長，提高晶體生長的穩(wěn)定性，進(jìn)而大幅改善自發(fā)成核法生長DAST晶體的質(zhì)量，有效解決了傳統(tǒng)斜板式自發(fā)成核法中，在斜板之外其它位置容易出現(xiàn)無效的自發(fā)成核雜晶生長問題，提高晶體生長的穩(wěn)定性和生長效率。可望應(yīng)用于有機(jī)晶體的自發(fā)成核生長。