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阻變存儲器集成
2021-01-12 00:00:00
云上高博會
http://www.a00n.com
關鍵詞：
阻變存儲器
所屬領域:
項目成果/簡介:
已有樣品/n垂直結(jié)構的高密度三維交叉陣列，結(jié)合了3D-Xpoint以及3D-NAND兩種架構的優(yōu)
勢，具有制備工藝簡單，成本低廉以及集成密度高等優(yōu)點。劉明團隊在前期四層堆
疊結(jié)構的基礎上（IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4）實現(xiàn)了8層結(jié)構的設計，進一
步驗證了RRAM三維結(jié)構微縮至5nm以下的可能性。
項目階段:
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