產品詳細介紹
ET9000系列電輸運性質測試系統(霍爾效應系統)是集霍爾效應、磁阻、I-V特性等測試于一體的全自動化測試系統。系統全面地考慮了儀表配置、電路接線(包括室溫和低溫的接線)等用戶經常忽略的問題,選取了美國Keithley的電測量儀表,磁場根據用戶需要采用電磁鐵或無液氦超導磁體, 配備靈巧的測量樣品桿,加上全自動化的專用測試軟件,能讓用戶快速方便地進行樣品測試,并獲得準確可靠的數據。 此外、系統還有多種低溫選件,并可以根據用戶現有的儀表和對軟件的特殊要求進行特殊改造, 是廣大科研工作者對樣品進行電輸運性質研究的有力工具。
ET9000電輸運系統主要特點:
標準系統使用插入式樣品夾具,樣品安裝方便;
基本配置一次最多可以加裝四個樣品, 并同時可以對兩個樣品進行測試;
標準系統隨機配送一個探針樣品卡;
標準系統可以進行不同磁場下的霍爾效應、I-V特性的測量;
電阻測量范圍寬:0.1mΩ—50GΩ(高阻系統),測量的不確定度為2%;
測試過程和計算過程由軟件自動執行,節省了大量的時間;
軟件可以顯示測量結果和測量曲線;
系統磁場采用閉環控制,可以提供高穩定性的磁場, 同時解決了磁鐵剩磁問題,實現真正的零磁場;
選擇變溫選件,可以進行不同溫度下的霍爾效應測量和I-V特性測量。
ET9000電輸運系統可測試材料:
半導體材料:
Si、Ge、GaAs、GaN、AlGaAs、CdTe、HgCdTe、CdTe、ZnO、SiC、GeSi、InP、MCT等,以及弱磁半導體和稀磁半導體的薄膜及塊材;
鐵氧體材料;
低阻抗材料:金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR材料等。
ET9000電輸運系統基本功能:
可以進行霍爾效應、I-V特性(電阻率)及磁電阻(MR)的測量;
可得出參數:霍爾效應——方塊電阻、電阻率、霍爾系數、導電類型、霍爾遷移率、載流子濃度;
I-V特性的MR的特性曲線包括:
不同磁場下的I-V特性曲線
不同溫度下的I-V特性曲線
不同磁場下的變溫I-V特性曲線
不同溫度下的變磁場I-V特性曲線
電阻隨溫度、磁場變化的特性曲線
P-B曲線
ET9000系列電輸運性質測試系統(霍爾效應系統)是集霍爾效應、磁阻、I-V特性等測試于一體的全自動化測試系統。系統全面地考慮了儀表配置、電路接線(包括室溫和低溫的接線)等用戶經常忽略的問題,選取了美國Keithley的電測量儀表,磁場根據用戶需要采用電磁鐵或無液氦超導磁體, 配備靈巧的測量樣品桿,加上全自動化的專用測試軟件,能讓用戶快速方便地進行樣品測試,并獲得準確可靠的數據。 此外、系統還有多種低溫選件,并可以根據用戶現有的儀表和對軟件的特殊要求進行特殊改造, 是廣大科研工作者對樣品進行電輸運性質研究的有力工具。
ET9000電輸運系統主要特點:
標準系統使用插入式樣品夾具,樣品安裝方便;
基本配置一次最多可以加裝四個樣品, 并同時可以對兩個樣品進行測試;
標準系統隨機配送一個探針樣品卡;
標準系統可以進行不同磁場下的霍爾效應、I-V特性的測量;
電阻測量范圍寬:0.1mΩ—50GΩ(高阻系統),測量的不確定度為2%;
測試過程和計算過程由軟件自動執行,節省了大量的時間;
軟件可以顯示測量結果和測量曲線;
系統磁場采用閉環控制,可以提供高穩定性的磁場, 同時解決了磁鐵剩磁問題,實現真正的零磁場;
選擇變溫選件,可以進行不同溫度下的霍爾效應測量和I-V特性測量。
ET9000電輸運系統可測試材料:
半導體材料:
Si、Ge、GaAs、GaN、AlGaAs、CdTe、HgCdTe、CdTe、ZnO、SiC、GeSi、InP、MCT等,以及弱磁半導體和稀磁半導體的薄膜及塊材;
鐵氧體材料;
低阻抗材料:金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR材料等。
ET9000電輸運系統基本功能:
可以進行霍爾效應、I-V特性(電阻率)及磁電阻(MR)的測量;
可得出參數:霍爾效應——方塊電阻、電阻率、霍爾系數、導電類型、霍爾遷移率、載流子濃度;
I-V特性的MR的特性曲線包括:
不同磁場下的I-V特性曲線
不同溫度下的I-V特性曲線
不同磁場下的變溫I-V特性曲線
不同溫度下的變磁場I-V特性曲線
電阻隨溫度、磁場變化的特性曲線
P-B曲線